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膜厚監(jiān)測和控制儀使用成熟的 INFICON 石英晶體傳感器技術(shù)在薄膜沉積過程中測量速率和厚度。兩個傳感器輸入為標準輸入,另外四個傳感器輸入為可選輸入。兩個錄像機輸出可提供模擬速率和厚度信號。
SH-600 旋轉(zhuǎn)式傳感器頭設計用于要求苛刻的工藝,采用非常厚的薄膜和幾種不同的材料。RSH-600 將六顆晶體固定在熱屏蔽、水冷卻的殼體中,確保在溫度高達 300°C 的應用環(huán)境下獲得晶體性能。晶體固定在一個易于拆卸的 Teflon® 和不銹鋼晶體支架中。
INFICON ALD 傳感器將石英晶體微天平(QCM)測量的可重復性、精確性和耐用性帶入原子層沉積 (ALD)。ALD 傳感器可承受高達 450ºC 的高溫,設計在嚴苛的 ALD 應用環(huán)境中運行。裸露的晶體電極*接地以有效地消除與電干擾有關(guān)的任何潛在問題。
INFICON Crystal 12 傳感器與INFICON IC6 薄膜沉積控制器結(jié)合使用時,可自動更換其晶體,而無需中斷過程。晶體不穩(wěn)定或失效時,IC6 會立即向 Crystal 12 傳感器旋轉(zhuǎn)傳送帶發(fā)送信號,要求其立即將新晶體旋轉(zhuǎn)到位,從而實現(xiàn)持續(xù)沉積速率監(jiān)控。
INFICON UHV 可烘烤晶體傳感器擁有經(jīng)實踐檢驗的可靠性和耐用性,提供超越當前市場上的任何傳感器頭的熱穩(wěn)定性。可烘烤傳感器由 304 號不銹鋼、鉬、鉻鎳鐵合金、鎳和氧化鋁材料制成,設計為可承受連續(xù)烘烤溫度高達 450° C(僅適用于烘烤,實際沉積監(jiān)控需要水流)。前裝式設計允許在側(cè)面插入空間不足的應用中輕松插入晶體支架。
經(jīng)濟型雙傳感器為一個晶體可能不夠的 QCM 應用提供簡單并且廉價的解決方案。閘門將覆蓋第二個晶體,直到需要該晶體完成過程。經(jīng)濟型雙傳感器使用兩條真空電纜以便于在現(xiàn)場更換。 經(jīng)濟型雙傳感器的緊湊設計僅需要 32.5 毫米(1.3 英寸)的間隙,傳感器和快門組件即可穿過標準 CF40 管嘴。